Chế tạo điện cực trong suốt dẫn điện

Màng CuS được ngưng kết bằng phương pháp hóa học từ các hợp chất chứa Cu và S. Cáctính chất như thành phần pha, kích thước hạt, phổ hấp thụ, độ dẫn điện đã được khảo sát theo các chế độ tạo màng. Kết quả cho thấy màng CuS chế tạo bằng phương pháp này có thể được sử dụng như một điện cực trong suốt dẫn điện cho các linh kiện quang điện như pin mặt trời.

CuS là một chất bán dẫn có nhiều tính chất quang điện lý thú cả về mặt nghiên cứu cơ bản lẫn ứng dụng. Công thức tổng quát của bán dẫn này là CuxS với các dạng tinh thể ứng với các thành phần pha. Màng CuS được sử dụng trong quang điện tử, pin mặt trời, lớp phủ lọc lựa quang học, cảm biến ga. Nó có thể được sử dụng như một điện cực trong suốt trong vùng khả kiến với độ dẫn điện cao. Màng CuS có thể ngưng kết trên nhiều lọai bề mặt khác nhau như thủy tinh, chất dẻo, kim loại trên màng TCO và CdS.

Có nhiều phương pháp chế tạo màng CuS như hóa hoc (MOCVD), điện hóa, nhiệt phân phun, trong đó phương pháp nhiệt phân phun được đánh giá cao vì nhiệt độ chế tạo thấp, áp suất phun thấp, dễ pha tạp dễ điều khiển tính chất thông qua thành phần và điều kiện chế tạo. Công trình này nghiên cứu chế tạo màng CuS bằng phương pháp nhiệt phân phun trên đế thủy tinh từ hỗn hợp dung dich CuCl2 và (NH2)2CS. Thành phần pha và tính chất của màng được khảo sát theo chế độ chế tạo để chọn lựa các điều kiện công nghệ thích hợp cho các mục tiêu ứng dụng tiếp theo.

Các kết quả thu được phù hợp với các giá trị tham khảo. Điều này cho phép sử dụng phương pháp phun nhiệt phân đơn giản để chế tạo các màng CuS cho các mục đích nghiên cứu tiếp theo.