Lượng tử hóa từ điện trở trong các tiếp xúc nano

Lượng tử hóa độ dẫn khi đặt trong từ trường bão hòa, tiếp xúc quay xung quanh trục vuông góc ở một tần số góc.

Năm 2005, Evgeny Tsymbal và các đồng nghiệp ở Đại học Tổng hợp Nebraska, Lincoln giả thiết rằng số N có thể thay đổi bằng cách đặt một từ trường vào một dây rất mảnh làm bằng các kim loại từ tính (Theo công trình xuất bản trên Physical Review Letters 94 (2005) 127203).Trong các vật liệu đó, các điện tử dẫn dưới tác dụng của từ trường sẽ phải dịch chuyển mức năng lượng so với mức Fermi và do đó dẫn đến việc thay đổi N. Do độ dẫn của dây tỉ lệ với N, nên các nhà nghiên cứu giả định rằng có thể quan sát thấy sự thay đổi kiểu nhảy bậc của độ dẫn (hay nói cách khác là điện trở). Họ gọi hiệu ứng này là "hiệu ứng từ điện trở dị hướng đạn đạo"( ballistic anisotropy magnetoresistance - BAMR) - từ " dị hướng " ở đây là do hiệu ứng này phụ thuộc vào góc tương đối giữa từ trường và chiều của dòng điện dẫn.

Lượng tử hóa độ dẫn khi thay đổi giữa góc của từ trường và mặt phẳng tiếp xúc.

BAMR sẽ nhanh trong được khai thác để tạo ra các đầu đọc cực nhỏ cho việc đọc các dữ liệu ghi trên đĩa từ và các loại khác. Trên lý thuyết, điều này có thể đẩy mật độ lưu trữ thông tin bằng từ tính đến giới hạn nguyên tử. Tuy nhiên, Doudin cảnh báo rằng sự nhạy của hiệu ứng với sự thay đổi cấu trúc đồng nghĩa với việc linh kiện sẽ phải chế tạo với độ chính xác tới cấp độ nguyên tử - một điều rất khó khăn ở thời điểm hiện tại.